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高壓探針臺通過TS2000-DP,MPI提供了一個多功能且經濟高效的探針臺,半自動|MPI 8英寸高壓探針臺適用于20°C至300°C溫度范圍內的晶圓上高功率器件測量,測量能力高達3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。
射頻探針臺,12英寸全自動射頻探針臺設計有五個單獨的托盤,可按人體工學方式手動裝載150、200或300毫米的“模型”晶圓。